化合物晶体申报专利-请大家帮我查询下专利证书

如何让氯化镁晶体脱水?
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是真的。

溴化镧铈闪烁晶体的制造方法 有权
申请号：200810167894.8 申请日：2008-10-16

摘要：一种溴化镧铈闪烁晶体的制备方法,其特点是:在配置溴化镧铈晶体生长原料时掺入了其它离子(加固剂)以增大晶体的抗裂强度,这种加固剂离子可以是三价离子,也可以是二价或四价离子;晶体采用特制悬挂石英坩埚下降法生长。本发明由于加固剂离子的位错钉扎作用,阻止了位错扩散和晶面滑移,有效地防止了晶体在生长和加工过程中的开裂,大大提高了所制备的溴化镧铈单晶体的强度,提高了晶体质量。
申请人： 郝佳
地址： 100085 北京市海淀区上地十街1号院3号楼0713室
发明(设计)人： 郝佳

您好，可以在SOOPAT网站（直接百度SOOPAT就能找到），输入【2008101678948 】进行搜索就能找到有关该专利的全部信息，非常方便。 集群智慧云企服，企业服务好帮手！https://www.jiqunzhihui.net/

如果您还有什么问题需要咨询，可以随时百度HI我，竭诚为您解答相关问题。
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一种激光治疗仪 专利号:zl 00 1 08495.x国际专利主...
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溴化镧铈闪烁晶体的制造方法 有权
申请号：200810167894.8 申请日：2008-10-16

摘要：一种溴化镧铈闪烁晶体的制备方法,其特点是:在配置溴化镧铈晶体生长原料时掺入了其它离子(加固剂)以增大晶体的抗裂强度,这种加固剂离子可以是三价离子,也可以是二价或四价离子;晶体采用特制悬挂石英坩埚下降法生长。本发明由于加固剂离子的位错钉扎作用,阻止了位错扩散和晶面滑移,有效地防止了晶体在生长和加工过程中的开裂,大大提高了所制备的溴化镧铈单晶体的强度,提高了晶体质量。
申请人： 郝佳

地址： 100085 北京市海淀区上地十街1号院3号楼0713室
发明(设计)人： 郝佳

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清华大学 汪开庆 专利
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溴化镧铈闪烁晶体的制造方法 有权
申请号：200810167894.8 申请日：2008-10-16

摘要：一种溴化镧铈闪烁晶体的制备方法,其特点是:在配置溴化镧铈晶体生长原料时掺入了其它离子(加固剂)以增大晶体的抗裂强度,这种加固剂离子可以是三价离子,也可以是二价或四价离子;晶体采用特制悬挂石英坩埚下降法生长。本发明由于加固剂离子的位错钉扎作用,阻止了位错扩散和晶面滑移,有效地防止了晶体在生长和加工过程中的开裂,大大提高了所制备的溴化镧铈单晶体的强度,提高了晶体质量。