实用新型专利发明人效力-实用新型专利的发明人

实用新型专利，我是第三发明人，有用吗
不是实用新型，是发明。
带有沟槽式源极结构的功率MOS场效应管制造方法
申请号CN201310314819.0申请日2013.07.25
公开（公告）号CN104241133A公开（公告）日2014.12.24
当前法律状态实审有效性审中
分类号H01L21/336(2006.01)I; H01L21/28(2006.01)I
申请（专利权）人俞国庆
地址215126 江苏省苏州市工业园区第五元素13栋2003室
发明（设计）人俞国庆; 吴勇军
优先权2012.07.27 CN 201210262341.7
专利代理机构代理人
摘要
本发明涉及带有沟槽式源极结构的功率MOS场效应管制造方法，对单胞阵列中的源极接触区依次采用光刻、刻蚀以及淀积金属层制作工艺，且对单胞阵列中的源极接触区的刻蚀是以同一次光刻图形为掩膜，采用干法刻蚀 湿法腐蚀的组合方式进行，使源极金属层同时接触源极区顶部的横向接触平台和源极区侧部的纵向接触侧面。本发明所述的功率MOS场效应管制造方法，增加源极金属层与源极区的接触面积，从而降低源极金属接触电阻，减少能量损耗，改善器件性能。 内容来自https://www.jiqunzhihui.net/
实用新型专利的发明人有什么好处
不是实用新型，是发明。
带有沟槽式源极结构的功率MOS场效应管制造方法
申请号CN201310314819.0申请日2013.07.25
公开（公告）号CN104241133A公开（公告）日2014.12.24
当前法律状态实审有效性审中
分类号H01L21/336(2006.01)I; H01L21/28(2006.01)I
申请（专利权）人俞国庆
地址215126 江苏省苏州市工业园区第五元素13栋2003室
发明（设计）人俞国庆; 吴勇军
优先权2012.07.27 CN 201210262341.7
专利代理机构代理人
摘要
本发明涉及带有沟槽式源极结构的功率MOS场效应管制造方法，对单胞阵列中的源极接触区依次采用光刻、刻蚀以及淀积金属层制作工艺，且对单胞阵列中的源极接触区的刻蚀是以同一次光刻图形为掩膜，采用干法刻蚀 湿法腐蚀的组合方式进行，使源极金属层同时接触源极区顶部的横向接触平台和源极区侧部的纵向接触侧面。本发明所述的功率MOS场效应管制造方法，增加源极金属层与源极区的接触面积，从而降低源极金属接触电阻，减少能量损耗，改善器件性能。 集群智慧云企服水印https://www.jiqunzhihui.net/
已经授权的实用新型专利能添加发明人吗
不是实用新型，是发明。
带有沟槽式源极结构的功率MOS场效应管制造方法
申请号CN201310314819.0申请日2013.07.25
公开（公告）号CN104241133A公开（公告）日2014.12.24
当前法律状态实审有效性审中
分类号H01L21/336(2006.01)I; H01L21/28(2006.01)I
申请（专利权）人俞国庆
地址215126 江苏省苏州市工业园区第五元素13栋2003室
发明（设计）人俞国庆; 吴勇军
优先权2012.07.27 CN 201210262341.7